4GB DDR3 SO-DIMM PC3L-12800S-11-11-FP 2Rx8 1600 MHz 1.35V CL11
- SO-DIMM (Small Outline Memory)
- 1600 MHz · Unbuffered · Non-ECC · 1.35V
- Für Laptop, Notebook & Netbook
- Markenchips (Samsung, Hynix, Micron)
- Lebenslange Garantie (Garantiebedingungen)
- Doppelseitig bestückt für maximale Kompatibilität
- Abwärtskompatibel zu 1333 MHz, und 1066 MHz
Produktdetails
| Speichertyp | DDR3 RAM |
| Marke | BRAINZAP |
| Modellnummer | BS-D3-4G-SO-1600-2RL-11-11-FP |
| Kompatibel mit | Notebooks - Intel und AMD |
| Speicher-Frequenz | 1600 MHz |
| Modul-Einzelkapazität | 4GB |
| Anzahl Module | 1 |
| Gesamtkapazität | 4GB |
| Speicher-Spezifikation | PC3L-12800S-11-11-FP |
| JEDEC Norm | PC3L-12800S |
| Bauform | SO DIMM 204-pol. |
| Unbuffered | ja |
| ECC | nein |
| Registriert | nein |
| Spannung | 1.35V |
| Latenz (CL) | 11 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 11 |
| Ras Precharge Time (tRP) | 11 |
| Chip-Anordnung | 2Rx8 |
| EAN | Nicht zutreffend |
Artikelbeschreibung
Unser 4GB DDR3 RAM Speichermodul mit der Artikelnummer BS-D3-4G-SO-1600-2RL-11-11-FP läuft mit 1.35V sowie 1.5V und wird nach höchsten Qualitätstandards hergestellt und überprüft.
Die Speicherfrequenz beträgt 1600 MHz und ist abwärtskompatibel zu 1333 MHz, und 1066 MHz.
Das Speichermodul ist für eine maximale Kompatibilität doppelseitig bestückt (Dual-Rank 2Rx8). Das Speichermodul ist Unbuffered und Nicht-ECC und laufen dadurch problemlos in den meisten Geräten.
Wir verwenden nur Markenchips (vorzugsweise Samsung, Micron und SK Hynix). Sie erhalten eine lebenslange Garantie auf all unsere Speichermodule. Für weitere Informationen zur Garantie lesen Sie bitte die Garantiebedingungen.
